Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работамЭлектрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам./ Под ред. С.А.Гусева. Изд. второе пер. и доп.; Балт. гос. техн. ун -т, СПб., 2000, с. Ил. 26, табл. 18. © Содержание TOC o '1-3' Работа 1 . Исследование электрических свойств проводниковых материалов ........ PAGEREF _Toc491446131 h 4 1. Краткие сведения из теории ...................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446132 h 2. Описание экспериментальной установки ......................................................................................................... PAGEREF _Toc491446133 h 3. Порядок проведения работы ....................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446134 h 4. Оформление отчета ........................................................................................................................................................ PAGEREF _Toc491446135 h Работа 2. Исследование свойств терморезисторов ............................................................................. PAGEREF _Toc491446136 h 7 1. Краткие сведения из теории ....................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446137 h 7 2. Описание экспериментальной установки .......................................................................................................... PAGEREF _Toc491446138 h 3. Порядок выполнения работы. ..................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446139 h 4. Оформление отчета ...................................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446140 h Работа З. Исследование свойств варисторов ......................................................................................... PAGEREF _Toc491446141 h 11 1. Краткие сведения из теории ..................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446142 h 2. Описание экспериментальной установки ........................................................................................................ PAGEREF _Toc491446143 h 3. Порядок выполнения работы ................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446144 h 4. Оформление отчета ...................................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446145 h Работа 4 . Исследование свойств фоторезисторов ............................................................................... PAGEREF _Toc491446146 h 14 1. Краткие сведения из теории ..................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446147 h 2. Описание экспериментальной установки ........................................................................................................ PAGEREF _Toc491446148 h 3. Порядок проведения работы. .................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446149 h 4. Оформление отчета ...................................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446150 h Работа 6 . Исследование свойств сегнетоэлектриков ..................................................................... PAGEREF _Toc491446151 h 17 1. Краткие сведения из теории ..................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446152 h 2. Описание экспериментальной установки ........................................................................................................ PAGEREF _Toc491446153 h 3. Порядок выполнения работы ................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446154 h 4. Оформление отчета ...................................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446155 h Работа 7 . Исследование свойств ферромагнитных материалов .......................................... PAGEREF _Toc491446156 h 21 1. Краткие сведения из теории ..................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446157 h 21 2. Описание экспериментальной установки ........................................................................................................ PAGEREF _Toc491446158 h 3. Порядок выполнения работы ................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446159 h 4. о формление отчета ...................................................................................................................................................... PAGEREF _Toc491446160 h 25 Работа 1 . Исследование электрических свойств проводниковых материалов Цель работы: 1) определение удельных сопротивлений проводниковых материалов низкого и высокого сопротивления и их зависимости от температуры; 2) определение зависимости величины электродвижущей силы термопар от температуры; 3) оценка длины свободного пробега электронов в различных проводниковых материалах. 1. Краткие сведения из теории Основные свойства проводниковых материалов характеризуются величиной удельного сопротивления электрическому току r , температурным коэффициентом удельного электрического сопротивления a r (ТК r ), величиной термоэлектродвижущей силы Е Т . Наилучшими проводниками электрического тока являются металлы. Механизм протекания тока в металлах, находящихся в твердом или жидком состояниях, обусловлен движением свободных электронов, поэтому металлы являются материалами с электронной электропроводностью. Электропроводность металлов зависит от совершенства кристаллической решетки: чем меньше дефектов имеет кристаллическая решетка, тем выше электропроводность. Поэтому чистые металлы обладают наименьшими значениями удельного сопротивления, а сопротивление сплавов всегда выше сопротивлений металлических компонентов, входящих в их состав. Металлические проводниковые материалы могут быть разделены на проводники малого сопротивления ( r 0,1 мкОм м) – медь, серебро, алюминий и т. д., и проводники (сплавы) высокого сопротивления. Последние в свою очередь делятся на термостойкие сплавы для электронагревательных приборов – нихром, хромаль, фехраль и др., и термостабильные сплавы для образцовых резисторов – манганин, константан. B соответствии с электронной теорией металлов: Поэтому a r имеет две составляющие: a r = a R + a l , (1.3) где a R – температурный коэффициент сопротивления в данном интервале температур; a l – температурный коэффициент линейного расширения проводника, значения которого приведены в табл. 1.1. У чистых металлов a r > > a l , поэтому для них a r » a R . д ля термостабильных металлических сплавов такое приближение не справедливо. Таблица 1.1
Производная определяется выражением d R/ d q » D R / D q . э кспериментально удельное электрическое сопротивление определяется по формуле: Причиной этого являются неодинаковые значения работ выхода электронов и различные значения концентрации свободных электронов в соприкасающихся металлах. Термопарой называется устройство, содержащее спай двух проводников или полупроводников. Если спай двух металлов А и В (термопара) имеет температуру T 1 , а свободные (неспаянные) концы температуру T 2 , причем T 1 > T 2 , то между свободными концами возникает термо-э.д.с.
Одновременно с нагреванием проводников нагреваются помещенные в термостат спаи трех термопар. Холодные концы термопар поочередно подключить переключателем П 1 к милливольтметру. Значения измеренных термо-э.д.с. занести в табл. 1.3. Таблица 1.3
Контрольные вопросы 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Работа 2. Исследование свойств терморезисторов Цель работы : а) определение зависимости сопротивления терморезисторов от температуры; б) определение энергии активации и коэффициента температурной чувствительности полупроводника; в) оценка величины постоянной времени тепловой инерции терморезисторов; г) построение динамических вольтамперных характеристик терморезисторов. 1. Краткие сведения из теории Терморезистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого в сильной степени зависит от температуры. Удельная электрическая проводимость полупроводников Подвижность носителей при нагревании изменяется сравнительно слабо (по степенному закону, ~ Динамическая ВАХ показывает реакцию терморезистора на воздействие импульсов напряжения разной величины, но одинаковой длительности. т ок фиксируется в конце импульса. Терморезистор обладает одной статической и семейством динамических ВАХ, соответствующих ряду фиксированных длительностей D t импульсов напряжения. ВАХ терморезистора являются нелинейными. д инамические ВАХ терморезистора приведены на рис. 2.4 . При длительности импульса Статическая ВАХ соответствует Сопротивление резистора измеряется омметром. с нятие вольтамперных характеристик выполняется по схеме, приведенной на рис. 2.5. Измерительной цепь питается от источника постоянного регулируемого напряжения ИП со встроенным вольтметром V . Ток через терморезистор измеряется миллиамперметром. Включить термостат, электронный термометр и омметр. Измерить сопротивление терморезистора при различных температурах – от комнатной до максимальной, равной 90°С, с интервалом D q =10 °С. Результаты опыта занести в табл. 2.1. Таблица 2.1
Измерив сопротивление терморезистора при 90 °С, быстро извлечь его из термостата. Момент извлечения принять за t = 0. Отключить термостат. ф иксируя время, измерять сопротивление терморезистора при его остывании до тех пор, пока оно не увеличится примерно в три раза. Данные измерений занести в табл. 2.2. Таблица 2.2
Повторить измерения для напряжений 10, 15, 20, 25, 30 В; длительность паузы с ростом напряжения следует увеличивать. Результаты опыта занести в табл. 2.3. Таблица 2.3
Контрольные вопросы 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Работа З. Исследование свойств варисторов Цель работы – исследование основных свойств варисторов и иллюстрация их практического применения. 1. Краткие сведения из теории в аристором называется нелинейный полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от приложенного напряжения. В аристоры изготавливаются из размолотого карбида кремния ( SiC ) с добавкой связующего вещества. Причинами, обусловливающими нелинейность вольтамперной характеристики варистора, являются: Степень нелинейности ВАХ оценивается коэффициентом нелинейности Выходное напряжение , как видно из рис. 3.3, вначале увеличивается, затем падает до нуля и после изменения знака снова растет по абсолютной величине. Внешняя характеристика стабилизатора U вых (U вх ) в режиме холостого хода приведена на рис. 3.4. Выходное напряжение остается приблизительно постоянным при изменении входного напряжения от U вх1 до U вх2 , когда величина дифференциального сопротивления варистора равна или близка к величине сопротивления линейного резистора. Количественной оценкой стабилизации напряжения является коэффициент стабилизации Последнее содержит третью гармонику, удельный вес которой возрастает с ростом амплитуды входного напряжения. 2. Описание экспериментальной установки Вольтамперные характеристики варистора снимаются по схеме рис. 2.5. Осциллографическое исследование варистора проводится по схеме рис. 3.5. Входное напряжение измеряется цифровым вольтметром V . Исследование мостового стабилизатора на варисторах проводится по схеме рис.3.6. Питание осуществляется или от источника постоянного напряжения, или от задающего генератора в зависимость от положения переключателя П 1 .
Подать питание на схему рис.3.5. Зарисовывать на кальку ВАХ варистора при напряжении на входе 60 В. Определить масштабы по току (по оси у) и по напряжению (по оси x ) для чего, не трогая регуляторов усиления осциллографа, переключатель П 1 перевести в положение «2». На экране осциллографа получится наклонная прямая – ВАХ линейного резистора. Регулируя напряжение, добиться того, чтобы ее крайние точки не выходили за пределы экрана осциллографа. Масштабы (при R >> R o ) рассчитываются следующим образом: Провести аналогичные измерения при увеличении входного напряжения до 80 В (через 10 В). Результаты опыта занести в табл.3.2. Коэффициент стабилизации рассчитывается по формуле 3.4. Таблица 3.2
Включить осциллограф и подключить его к исследуемой цепи, замкнув рубильник К. Переключить клеммы и переключатель рода работы цифрового вольтметра в режим измерения переменного напряжения. Подать на вход схемы переменное напряжение от задающего генератора ЗГ и провести измерения, аналогичные п. 3.3.а. Результаты измерений занести в табл. 3.2. Для трех значений напряжения, соответствующих участкам ab , bc и cd на рис.3.4, снять на кальку осциллограммы напряжений U вых (t) . 4. Оформление отчета 1. Привести схемы экспериментальных установок, данные измерительных приборов и исследуемых элементов, а также таблицы с результатами измерений и вычислений. 2. По данным таблицы 3.1 построить ВАХ варистора, снятую на постоянном токе. 3. Построить с указанием масштабов по осям ВАХ варистора на переменном токе. 4. По данным табл. 3.2 построить характеристики «вход-выход» стабилизатора напряжения U вых ( U вх ) , снятые на постоянном и переменном токе. 5. Привести качественные осциллограммы напряжений на выходе мостового стабилизатора. 6. Дать краткие выводы по работе. Контрольные вопросы. 1. 2. 3. 4. Где применяют варисторы и почему? 5. 6. 7. 8. Работа 4 . Исследование свойств фоторезисторов Цель работы – исследование основных характеристик фоторезисторов: 1) определение зависимости величины сопротивления от освещенности; 2) получение вольтамперных характеристик при различных значениях освещенности; 3) определение зависимости фототока от величины освещенности 4) определение интегральной чувствительности. 1. Краткие сведения из теории Фоторезистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием оптического излучения. Работа некоторых полупроводниковых элементов основана на использовании фотоэлектрического эффекта – явления взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, в результате которого энергия фотонов передается электронам вещества. В твердых и жидких полупроводниках различают внешний и внутренний фотоэффекты. В первом случае поглощение фотонов сопровождается вылетом электронов из вещества. Во втором – электроны, оставаясь в веществе, переходят из заполненной энергетической зоны в зону проводимости, обуславливая появление фотопроводимости. В газах фотоэффект состоит в ионизации атомов или молекул под действием излучения. Внутренний фотоэффект, возникающий в паре из электронного и дырочного полупроводников, понижает контактную разность потенциалов, выполняя непосредственное преобразование электромагнитного излучения в энергию электрического поля, что используется в фотодиодах, фототранзисторах. Наиболее ярко внутренний фотоэффект выражен в таких полупроводниковых материалах как селен, германий, кремний, различные селенистые и сернистые соединения таллия, кадмия, свинца и висмута. Из этих материалов изготавливают фотоэлементы и фоторезисторы. В отсутствие облучения фоторезистор обладает некоторым большим сопротивлением R т , которое называется темновым. Величина темнового сопротивления определяется температурой и чистотой полупроводника. При приложении к фоторезистору разности потенциалов в цепи возникает ток I = I о + I ф , (4.1) Зависимость фототока от освещенности (светового потока) называется световой характеристикой (рис. 4.1). Фоторезисторы обладают линейной вольтамперной характеристикой, получаемой при неизменной освещенности Е (рис. 4.2). Основным параметром фоторезисторов является интегральная чувствительность, под которой понимают отношение фототока к вызвавшему его появление световому потоку белого (немонохромного) света и приложенному напряжению: Недостатками фоторезисторов являются значительная зависимость сопротивления от температуры, характерная для полупроводников, и большая инерционность, связанная с большим временем рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения. Постоянная времени t различных типов фоторезисторов колеблется в пределах 4 10 -5 …3 10 -2 с. Так, для фоторезисторов марок ФС-КО, ФС-К1 t = 2 10 -2 с, для ФС-А1 – t = 4 10 -2 с. Это ограничивает быстродействие и затрудняет контроль быстрых изменений освещенности в приборах с фоторезисторами (рис.4.3). 2. Описание экспериментальной установки Вольтамперные характеристики снимают по схеме рис. 2.5. 3. Порядок проведения работы. 3.1 Определение зависимости сопротивления фоторезистора от освещенности . Подготовить цифровой вольтметр к измерению сопротивлений, для чего переключатель рода работ установить в положение « R », предел измерения – «10 м Ом». Подключить цифровой вольтметр к клеммам фоторезистора, расположенным на правой боковой панели лабораторной установки. Подать напряжение на стенд, переведя тумблер питания, расположенный на лицевой панели, в положение «Вкл». Изменяя освещенность регулятором на лицевой панели в соответствии со значениями в табл. 4.1, измерить и занести в табл. 4.1 сопротивление фоторезистора. Таблица 4.1
Изменяя напряжение на выходе источника постоянного напряжения от 0 до 30 В (через 5 В), измерить и занести в табл. 4.2 значения тока через фоторезистор. Повторить опыт при значениях освещенности 15, 25 лк. Темновой ток (при Е = 0) рассчитать по закону Ома:
Зависимость S и ( E ) определяется по схеме предыдущего опыта при неизменном значении напряжения U = 25 В. Результаты опыта и расчетов занести в табл. 4.3. Таблица 4.3
Контрольные вопросы 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Работа 6 . Исследование свойств сегнетоэлектриков Цель работы – экспериментальная проверка основных теоретических положений, определяющих физические процессы в сегнетоэлектриках при их периодической переполяризации; приобретение практических навыков в построении основной кривой поляризации D ( E ) и определении потерь в сегнетоэлектрике. 1. Краткие сведения из теории Сегнетоэлектриками называют кристаллические диэлектрики, диэлектрическая проницаемость которых достигает больших значений (порядка 10 4 …10 5 ) и зависит от напряженности электрического поля, температуры и предварительной поляризации. При поляризации любого диэлектрика Поляризованность вещества Относительная диэлектрическая проницаемость определяется выражением Отдельные домены имеют различные направления электрических моментов. Результирующий электрический момент при этом равен нулю. Если сегнетоэлектрик подвергнуть воздействию внешнего электрического поля, домены ориентируются по полю, и он оказывается поляризованным во всем объеме. Вследствие доменной структуры поляризованность и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков достигает огромных по сравнению с линейными диэлектриками значений. Процесс поляризации сегнетоэлектриков во внешнем электрическом поле имеет две основные стадии. На первой стадии происходит смещение границ и рост тех доменов, ориентация векторов поляризации которых наиболее близка к ориентации внешнего поля. На второй – вращение векторов поляризации доменов и их установка параллельно направлению поля. В сильных полях число доменов, не сориентированных по полю, уменьшается, что приводит к постепенному замедлению поляризации – насыщение сегнетоэлектрика. Переполяризация сегнетоэлектрика связана с достаточно большими затратами энергии. Электрическая мощность, затрачиваемая за один цикл, пропорциональна площади гистерезисной диаграммы S DE и объему сегнетоэлектрика V . При периодической переполяризации мощность пропорциональна частоте f . Диэлектрическая проницаемость при этом резко уменьшается (рис. 6.3). с егнетоэлектрическими свойствами обладают сегнетова соль, титанат бария, титанат и ниобат лития и др. Сегнетоэлектрики применяются в электрических конденсаторах большой емкости, нелинейных конденсаторах (вариконды), в пьезоэлектрических излучателях и приемниках звука и ультразвука, в качестве нелинейных элементов в оптических системах, электронике и вычислительной технике и т.д. Собрать измерительную цепь в соответствии со схемой на рис. 6.4. Перевести переключатель П в положение «1». Установить на входе цепи напряжение 120 В. На экране осциллографа должна наблюдаться гистерезисная диаграмма поляризации сегнетоэлектрика. Подобрать масштаб по вертикальной оси осциллографа так, чтобы изображение занимало весь экран. Внимание : в процессе выполнения последующих пунктов лабораторной работы не допускается изменять положение масштабного переключателя осциллографа. Измерить и записать в табл. 6.2 координаты вершины гистерезисного цикла: x m , y m (координаты вершины можно определить как половину размаха изображения по горизонтальной и вертикальной осям экрана). Повторить измерения, изменяя входное напряжение как показано в табл.6.2. Таблица 6.2 h = мм, d = мм, S = p d 2 /4 = м 2 .
Переключатель П установить в положение «2». Вращением регулировочной рукоятки ЛАТРа, установить на входе цепи напряжение в пределах 40…60 В. На экране осциллографа должна наблюдаться наклонная прямая линия, представляющая кулон-вольтную характеристику Q ( U ) линейного диэлектрика конденсатора С о 2 . Занести в табл. 6.1 значения напряжения U и размаха колебаний луча осциллографа по горизонтали – D х и вертикали – D у. Таблица 6.1
Устанавливая поочередно на входе цепи напряжение 60, 80, 120 В зарисовать на кальку осциллограммы петли гистерезиса. В табл. 6.3 занести координаты вершин гистерезисных циклов. Таблица 6.3
Контрольные вопросы 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. Работа 7. Исследование свойств ферромагнитных материалов Цель работы – экспериментальное подтверждение основных теоретических положений, определяющих физические процессы, происходящие в ферромагнитных телах при их периодическом перемагничивании; приобретение практических навыков в определении потерь в ферромагнетике, их разделении, снятии основной кривой намагничивания B ( H ) и оценке магнитных характеристик материала. 1. Краткие сведения из теории Ферромагнитные материалы ( Fe , Ni , Co и их сплавы) обладают особыми магнитными свойствами: высокое значение относительной магнитной проницаемости и ее сильная зависимость от напряженности внешнего магнитного поля, при перемагничивании наблюдается магнитный гистерезис, обусловленный наличием доменов – областей спонтанной намагниченности. Основной причиной магнитных свойств вещества являются внутренние скрытые формы движения электрических зарядов в его атомах – вращение электронов вокруг собственных осей (спиновый магнитный момент) и вокруг ядра (орбитальный магнитный момент). У ферромагнетиков даже при отсутствии внешнего магнитного поля имеются домены с параллельной или антипараллельной ориентацией спинов электронов. Такое вещество находится в состоянии спонтанного (самопроизвольного) намагничивания. В различных доменах эта ориентация различна. Если материал не подвергается воздействию внешнего магнитного поля, суммарный магнитный момент всех доменов и магнитный поток такого тела во внешнем пространстве равны нулю. При намагничивании внешним магнитным полем происходит поворот векторов магнитных моментов доменов в направлении поля и смещение границ доменов. С увеличением напряженности поля этот процесс замедляется (явление насыщения). Кривая, проходящая через вершины этих диаграмм, называется основной кривой намагничивания B = f ( H ). Гистерезисный цикл, при котором достигается насыщение ферромагнитного материала, называется предельным. По нему определяется остаточная индукция В r (при H = 0) и коэрцитивная сила Н c (при B = 0). Способность материала к намагничиванию характеризуется абсолютной магнитной проницаемостью m = В/Н . (7.1) На рис. 7.2 показана основная кривая намагничивания B = ( H ) и зависимость абсолютной магнитной проницаемости от напряженности внешнего магнитного поля. При определенной величине напряженности m достигает максимума. Точка а, характеризующая этот режим, соответствует касательной Оа, проведенной к основной кривой намагничивания из начала координат. Проницаемость, определенную в очень слабых полях, называют начальной ( m н ). Одновременному намагничиванию ферромагнитных материалов постоянным и переменным полем малой амплитуды Н т соответствует частный гистерезисный цикл с вершинами /—2, лежащими на основной кривой намагничивания (см. рис. 7.2). При этом реверсивная (обратимая) проницаемость определяется положением вершин этого цикла: Аналогично определяется дифференциальная магнитная проницаемость: Материалы с узкой петлей гистерезиса ( H c 1 кА/м) называют магнитомягкими, материалы с широкой петлей – магнитотвердыми. При перемагничивании ферромагнитных материалов в них возникают потери на гистерезис и вихревые токи. При постоянной амплитуде индукции ( B m = const ) потери на гистерезис пропорциональны частоте, а потери на вихревые токи – квадрату частоты: Параллельная ориентация спинов в магнитных доменах имеет место только ниже определенной для данного ферромагнетика температуры – точки Кюри. При превышении этой температуры спонтанная намагниченность исчезает, и магнитная проницаемость резко падает. 2. Описание экспериментальной установки Исследуемый ферромагнетик представляет собой тороидальный магнитопровод с двумя обмотками. Последовательно с намагничивающей обмоткой w 1 включено небольшое сопротивление R 1 , напряжение на котором, пропорциональное току i 1 , подается на горизонтальные пластины осциллографа и на вольтметр V 1 . На зажимы измерительной обмотки w 2 включена интегрирующая цепочка с большим сопротивлением R 2 и большой емкостью С. В схеме выбрано Установить на входе цепи напряжение частотой 50 Гц, при котором на экране осциллографа наблюдается предельный гистерезисный цикл (когда дальнейшее увеличение входного напряжения не вызывает значительного роста индукции). Регулировкой усиления вертикального и горизонтального каналов осциллографа добиться, чтобы диаграмма заняла не менее 2/3 экрана. Занести в табл. 7.1 показания вольтметров V 1 , V 2 и размах осциллограммы по горизонтали и вертикали, зарисовать осциллограмму на кальку. Площадь гистерезисного цикла S y i определяется непосредственным подсчетом числа квадратных миллиметров (по миллиметровой бумаге), укладывающихся внутри петли. Таблица 7.1
Изменить частоту входного напряжения до 400 Гц. Увеличивая напряжение на выходе задающего генератора (примерно в 8 раз), установить размах осциллограммы по вертикальной оси ( y m ) такой же, как в предыдущем опыте. Произвести измерения и занести результаты в табл. 7.1. Осциллограмму перенести на кальку. 3.3 Снятие основной кривой намагничивания. Установить частоту входного напряжения 50 Гц. Изменяя величину входного напряжения, определить координаты x m и у m вершин гистерезисных циклов. Результаты занести в табл. 7.2. Таблица 7.2
Определить параметры предельного гистерезисного цикла B m , B r , H c и, используя справочные таблицы, сделать вывод о материале исследованного ферромагнетика. 3. Оформить таблицы с результатами измерений и расчетов. При расчете масштабов использовать формулы (7.7). Значения тока I m и потокосцепления y m определяются по координатам x m , y m с учетом масштабов. Расчет индукции B m и напряженности H m выполнить по формулам: B m = y m / w 1 S , H m = w 1 I m / l ср , где S = ( D – d ) h /2, l ср = p ( D + d )/2 – соответственно площадь поперечного сечения и длина средней линии магнитного образца. 4. По результатам расчета табл. 7.2 построить основную кривую намагничивания B ( H ) и зависимости m r ( H ), m д ( H ). 5. Рассчитать удельные магнитные потери при частотах 50 и 400 Гц по формуле P м. уд = P м / V ст , где V cт = p (D 2 - d 2 ) h k с – объем стали, k c = 0,98—коэффициент заполнения образца сталью; D , d , h – диаметры и высота стального тороида. По формулам (7.4) разделить суммарные потери в стали на потери на вихревые токи и потери на гистерезис. |